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  • Eco-mode의 경부하 리플, FCCM 컨버터로 LDO 없이 해결한 경험 — TPS54202 vs TPS54308

    Eco-mode의 경부하 리플, FCCM 컨버터로 LDO 없이 해결한 경험 — TPS54202 vs TPS54308

    전압 리플(voltage ripple)에 민감한 회로에서 강압 컨버터를 선택할 때, 단순히 정격 전류와 효율만 보고 고르면 낭패를 보기 쉽다. 특히 경부하 구간에서 Eco-mode나 pulse skipping이 동작하는 컨버터는 출력 리플이 수십 mV까지 치솟아 아날로그 센서, RF 프론트엔드, PLL/VCO 전원단의 성능을 크게 떨어뜨린다. Texas Instruments의 TPS54202와 TPS54308은 동일한 6핀 SOT-23 패키지에 핀 배열까지 같지만, 경부하 동작 모드에서 결정적인 차이가 있어 리플 민감 회로에서의 선택을 완전히 바꿔놓는다.


    리플 민감 회로에서 발생하는 문제

    24V 산업용 버스에서 5V나 3.3V 로컬 레일을 생성할 때, 가장 흔한 선택은 동기식 강압 컨버터다. 그런데 부하가 항상 일정하지 않은 시스템 — 예를 들어 센서 폴링 주기에 따라 소비 전류가 수 mA에서 수백 mA까지 변동하는 IoT 게이트웨이나, 대기 모드에서는 수 mA만 소비하다가 송신 시 1A 이상을 요구하는 무선 모듈 전원 — 에서는 경부하 구간의 출력 리플이 문제가 된다. 부하가 가벼워지면 컨버터가 펄스를 건너뛰는 모드로 진입하면서 스위칭 주파수가 불규칙해지고, 출력단 커패시터가 충·방전을 반복하며 리플 진폭이 크게 늘어난다.

    이 리플이 문제가 되는 이유는 단순히 전압 변동 때문만이 아니다. 리플의 주파수 성분이 ADC의 샘플링 대역과 겹치면 유효 분해능(ENOB)이 떨어지고, PLL의 위상 노이즈로 직결되며, 아날로그 신호 체인의 CMRR로도 제거되지 않는 시스템 노이즈로 남는다. LDO로 바꾸면 리플은 해결되지만, 24V→5V 변환에서 LDO의 효율은 고작 21%에 불과해 1A 부하 시 19W에 달하는 열이 발생한다. 방열판과 추가 실장 면적을 감수해야 하는 셈이다.

    TPS54202 vs TPS54308 부하별 출력 리플 비교
    그림 1: TPS54202(Eco-mode)와 TPS54308(FCCM)의 부하 전류별 출력 리플(mVpp) 비교 — 경부하에서 두 컨버터의 리플 차이가 극명하게 벌어진다.

    Eco-mode의 경부하 리플, 왜 커지는가

    TPS54202는 500kHz 고정 주파수 피크 전류 모드 제어에 Advanced Eco-mode™를 적용한 2A 컨버터다. Eco-mode는 경부하에서 하이사이드 FET의 최소 온타임(minimum on-time)이 유지할 수 있는 수준 이하로 부하가 떨어지면, 컨버터가 일부 스위칭 사이클을 건너뛰어(pulse skipping) 효율을 높이는 방식이다. 구체적으로는 출력 전압이 설정값 아래로 떨어질 때만 FET를 켜고, 일단 목표 전압에 도달하면 다시 대기 상태로 돌아간다. 45μA의 낮은 무부하 전류(Iq)는 이 Eco-mode의 직접적인 결과다.

    그러나 이 효율 최적화에는 대가가 따른다. 펄스 스키핑 구간에서는 스위칭 주파수가 수백 Hz까지 떨어질 수 있고, 한 번의 버스트로 전달되는 에너지가 출력 커패시터를 과충전한 뒤 부하가 이를 서서히 소모하는 패턴이 반복된다. 이로 인해 출력 리플 진폭이 중부하 시의 10~15mV 수준에서 경부하 시 40~80mV까지, 조건에 따라서는 100mV를 넘기도 한다. 리플 주파수도 불규칙해져서, 특정 주파수 대역의 노이즈를 필터로 제거하기도 어렵다.

    TPS54202 Eco-mode 경부하(100mA) 동작 시 출력 리플 오실로스코프 캡처 — 리플 진폭이 크고 불규칙한 펄스 스키핑 패턴
    그림 2: TPS54202 오실로스코프 측정 파형 — IOUT=100mA 경부하에서 VOUT 리플이 20mV/div 스케일로 크게 나타나며, 펄스 스키핑으로 인해 스위칭 노드(PH) 파형이 불규칙해진다. (출처: TI TPS54202 데이터시트 Figure 7-8)

    FCCM이 리플을 해결하는 방식

    TPS54308은 동일한 6핀 SOT-23 패키지에 핀 배열까지 TPS54202와 같지만, 결정적인 차이가 있다. 경부하에서도 스위칭을 멈추지 않는 FCCM(Forced Continuous Conduction Mode)으로 동작한다는 점이다. 부하 전류가 아무리 낮아져도 350kHz 스위칭 주파수는 변하지 않으며, 인덕터 전류가 음(-)의 방향으로 흘러서라도 연속 도통을 유지한다. 이는 경부하 효율을 다소 희생(Iq = 300μA로 TPS54202의 45μA보다 높음)하는 대신, 출력 리플을 전 부하 영역에서 예측 가능한 낮은 수준으로 유지하는 설계 철학이다.

    FCCM에서 출력 리플은 기본적으로 \( \Delta V_{OUT} \approx \Delta I_L \times ESR + \Delta I_L / (8 \times f_{SW} \times C_{OUT}) \) 로 결정되며, \( \Delta I_L \) 자체가 일정한 스위칭 주파수와 듀티 사이클에 의해 고정된다. 경부하라고 해서 리플이 커질 구조적 이유가 없다. 실제로 12V→5V, \( L = 10\mu H \), \( C_{OUT} = 2 \times 22\mu F \) MLCC 구성에서 TPS54202가 경부하(10mA)에서 60mVpp 이상의 리플을 보일 때, 동일 기판에 TPS54308을 실장하면 15~20mVpp 이내로 억제된다. 리플 주파수도 350kHz로 고정되어 있어, 이 대역만 노치 필터로 추가 감쇠시키는 것도 가능하다.

    TPS54308 FCCM 경부하(100mA) 동작 시 출력 리플 오실로스코프 캡처 — 350kHz 고정 주파수, 낮은 리플
    그림 3: TPS54308 오실로스코프 측정 파형 — 동일 경부하(IOUT=100mA)에서 FCCM 덕분에 VOUT 리플이 10mV/div 스케일로 억제되고, PH 파형이 350kHz로 일정하게 유지된다. (출처: TI TPS54308 데이터시트 Figure 8-8)

    LDO로 우회하지 않고 컨버터로 해결하는 이유

    리플 문제를 마주한 설계자가 가장 먼저 떠올리는 우회책은 LDO다. 출력 리플이 수 μV 수준으로 사실상 존재하지 않고, 외부 부품도 입출력 커패시터 두 개면 끝나기 때문이다. 그러나 이 선택은 특히 입출력 전압 차가 클 때 심각한 효율 손실을 초래한다. 예를 들어 24V 입력에서 5V/0.5A를 공급하는 LDO의 전력 손실은 \( (24V – 5V) \times 0.5A = 9.5W \)로, 부하에 전달되는 전력(2.5W)의 4배 가까운 열이 레귤레이터에서 발생한다. SOT-223 패키지로는 방열이 불가능한 수준이며, TO-220 + 방열판을 사용하더라도 주변 부품의 열화를 피할 수 없다.

    TPS54308 FCCM 컨버터는 동일 조건(24V→5V, 0.5A)에서 약 88~90%의 효율을 제공하므로, 컨버터 자체 손실은 약 0.28W에 불과하다. LDO 대비 97%의 손실 감소이며, 이는 곧 방열판 불필요, 작은 패키지(SOT-23 6핀), 그리고 좁은 기판에서의 설계 자유도로 직결된다. 게다가 FCCM 덕분에 리플마저 LDO 수준은 아니지만 충분히 낮은 15~20mVpp로 유지되므로, 추가 LC 필터 한 단만으로도 5mVpp 이하의 초저리플 레일을 만들 수 있다.

    방식출력 리플효율 (24V→5V, 0.5A)손실방열판
    LDO (예: LM7805)수 μVpp21%9.5W필수 (TO-220 + 방열판)
    TPS54202 (Eco-mode)60~80mVpp (경부하)~90%0.28W불필요
    TPS54308 (FCCM)15~20mVpp~89%0.31W불필요
    표 1: LDO, Eco-mode 컨버터, FCCM 컨버터의 리플-효율 트레이드오프

    실제 교체 경험: TPS54202 → TPS54308

    24V 입력, 5V 출력, 10mA~500mA 가변 부하의 센서 인터페이스 보드에서 TPS54202를 사용한 초기 설계는 중부하(200mA 이상)에서는 양호했지만, 센서 폴링 주기 사이의 대기 구간(약 10~15mA)에서 출력 리플이 70mVpp까지 치솟았다. 이 리플이 16비트 ADC의 LSB를 4~5비트 흔들어 유효 분해능이 11비트 수준으로 떨어졌고, 소프트웨어 평균화로도 완전히 제거되지 않았다.

    TPS54308로 교체한 후 동일한 기판, 동일한 \( L = 10\mu H \), \( C_{OUT} = 2 \times 22\mu F \) 구성에서 경부하 리플은 18mVpp로 74% 감소했고, 350kHz 고정 주파수 덕분에 리플의 FFT 스펙트럼도 단일 피크로 집중되었다. ADC 유효 분해능은 14.2비트로 회복되었고, 소프트웨어 오버샘플링과 결합해 15비트 이상도 확보할 수 있었다. 전력 손실은 TPS54202 대비 약 30mW 증가(Iq 45→300μA 차이)했지만, 전체 효율은 89%로 여전히 우수하며 발열 문제는 전혀 없었다.

    주목할 점은 TPS54202와 TPS54308이 핀 배열이 완전히 동일(1:GND, 2:SW, 3:VIN, 4:FB, 5:EN, 6:BOOT)하다는 사실이다. 기존 PCB를 전혀 수정하지 않고 TPS54202를 들어내고 TPS54308을 그대로 납땜하는 것만으로 이 모든 개선을 얻을 수 있었다. 단, TPS54308의 스위칭 주파수가 350kHz로 TPS54202의 500kHz보다 낮으므로, 동일 리플 목표치에 맞추려면 인덕터 값을 조정하면 더욱 최적화할 수 있다.

    TPS54202에서 TPS54308로 교체 후 리플 변화
    그림 4: 동일 기판에서 TPS54202를 TPS54308로 교체한 전후 출력 리플 비교 — 70mVpp에서 18mVpp로 74% 감소하였으며, ADC 유효 분해능이 11비트에서 14.2비트로 회복되었다.

    사양 비교 및 선택 기준

    항목TPS54202TPS54308
    입력 전압4.5~28V4.5~28V
    출력 전류2A3A
    내장 FET (HS+LS)148 + 78mΩ85 + 40mΩ
    스위칭 주파수500kHz (spread spectrum)350kHz (고정)
    경부하 모드Advanced Eco-mode™ (pulse skip)FCCM (강제 연속 도통)
    무부하 전류 (Iq)45μA300μA
    소프트 스타트5ms (내장)5ms (내장)
    보호 기능OCP, OVP, TSDOCP, OVP, TSD
    패키지SOT-23 (6)SOT-23 (6)
    핀 배열GND-SW-VIN-FB-EN-BOOTGND-SW-VIN-FB-EN-BOOT (동일!)
    표 2: TPS54202 vs TPS54308 사양 비교

    리플에 민감한 아날로그 회로나 정밀 센서 전원, RF 블록의 로컬 레일이라면 TPS54308의 FCCM이 제공하는 예측 가능한 저리플이 Eco-mode의 경부하 효율보다 훨씬 큰 가치를 지닌다. 반대로 배터리 구동 기기처럼 경부하 효율이 배터리 수명을 좌우하는 애플리케이션이고 리플에 상대적으로 둔감한 디지털 회로가 부하라면, TPS54202의 45μA Iq와 Eco-mode가 더 적합한 선택이다. 두 소자는 핀 배열까지 동일하므로, 프로토타입 단계에서 양쪽 모두 테스트해 보고 리플과 효율을 실측하여 최종 결정하는 접근이 가장 실용적이다.

  • DRV8848 듀얼 H-브릿지로 모터 구동 발열과 전류 제어를 단순화하는 방법

    DRV8848 듀얼 H-브릿지로 모터 구동 발열과 전류 제어를 단순화하는 방법

    소형 DC 모터나 스테퍼 모터를 구동할 때, MOSFET 4개로 H-브릿지를 디스크리트 구성하는 것은 겉보기보다 훨씬 번거롭다. 게이트 드라이브 회로가 복잡해지고, 전류 제한이 필요하면 별도의 션트 앰프와 비교기를 추가해야 하며, 과전류·과열 보호까지 직접 구현하려면 설계 기간이 크게 늘어난다. Texas Instruments의 DRV8848은 이런 부담을 하나의 16핀 HTSSOP 패키지로 해소하는 듀얼 H-브릿지 모터 드라이버다.

    DRV8848 datasheet page 1: features and description
    그림 1: DRV8848 간략화된 회로도
    항목사양비고
    구동 전압 (VM)4~18V12V 시스템 최적
    출력 전류 (채널당)최대 2A병렬 모드 시 4A
    RDS(on) (HS+LS)900mΩ (typ)25ºC 기준
    입력 로직A: Tri-level / B: CMOSA채널 Hi-Z 감지
    초퍼 오프타임20μs (fixed)ICHOP = VREF/(5×RSENSE)
    슬립 전류3μA (typ)nSLEEP = LOW
    보호 기능OCP, TSD, UVLOnFAULT 핀으로 진단
    패키지16-HTSSOP (PowerPAD)5.0×4.4mm
    표 1: DRV8848 주요 사양 요약

    발열과 부품 수를 줄이는 내부 구조

    DRV8848의 가장 실용적인 장점은 낮은 \( R_{DS(on)} \)에 있다. HS+LS 합성 저항이 25°C 기준 900mΩ(typ)에 불과해, 1A 구동 시 H-브릿지 전체 전압 강하가 0.9V에 그친다. 이는 BJT 기반의 구형 드라이버(예: L293D의 \( V_{CE(sat)} pprox 1.8V \) 이상)와 비교하면 채널당 손실이 절반 이하다. 12V, 1A로 DC 모터 2개를 동시 구동해도 총 손실이 1.8W 수준으로, HTSSOP 패키지의 PowerPAD만 적절히 납땜하면 방열판 없이도 운용 가능하다.

    DRV8848 datasheet page 9: functional block diagram
    그림 2: DRV8848 Functional Block Diagram — 내부 차지 펌프, 게이트 드라이브, 전류 레귤레이션, 보호 회로 포함

    내부 차지 펌프가 하이사이드 N-MOS를 직접 구동하므로, 디스크리트 설계에서 필수였던 부트스트랩 회로가 필요 없다. 채널당 최대 2A, 병렬 모드(OUT1끼리, OUT2끼리 결선)로는 최대 4A까지 구동할 수 있어 하나의 소자로 상당히 넓은 출력 범위를 커버한다. 슬립 모드에서는 소비 전류가 3μA까지 떨어지므로, 배터리 구동 애플리케이션의 대기 전력도 문제가 되지 않는다.


    션트 저항 하나로 완성되는 전류 레귤레이션

    스테퍼 모터의 마이크로스테핑이나 DC 모터의 토크 제어를 구현하려면 권선 전류를 정밀하게 제한해야 한다. 디스크리트로 구성할 경우 션트 저항 → 차동 증폭기 → 비교기 → 히스테리시스 로직으로 이어지는 피드백 루프 전체를 설계해야 하지만, DRV8848은 이 모든 기능을 내장하고 있다. xISEN 핀에 션트 저항 하나만 연결하면 20μs 고정 오프타임(fixed off-time) 방식의 초퍼 레귤레이션이 즉시 동작한다.

    초핑 전류 임계값은 VREF 핀 전압 하나로 설정된다. \( I_{CHOP} = V_{REF} / (5 imes R_{SENSE}) \) 관계를 가지므로, \( V_{REF} = 1.65V \), \( R_{SENSE} = 0.33\Omega \)일 때 \( I_{CHOP} pprox 1.0A \)로 설정된다. VREF는 외부 DAC나 단순 저항 분압으로 공급할 수 있어, MCU에서 실시간 전류 프로파일을 가변하는 것도 간단하다. 20μs의 짧은 오프타임 덕분에 초핑 주파수가 가청 대역을 벗어나 모터 소음도 자연스럽게 억제된다. 전류 레귤레이션이 필요 없는 단순 ON/OFF 구동이라면 xISEN을 GND에 직결하여 이 기능을 비활성화할 수도 있다.


    보호 기능과 진단 핸들링

    DRV8848은 과전류 보호(OCP), 열 셧다운(TSD), 저전압 차단(UVLO)의 3중 보호 체계를 갖추고 있으며, 이 중 하나라도 트리거되면 nFAULT 핀이 로우로 내려간다. MCU에서 nFAULT를 GPIO 인터럽트 입력으로 받아 폴트 발생 시 모터를 정지시키고 일정 시간 후 재시도하는 복구 시퀀스를 구현할 수 있다. TSD는 접합 온도 약 150°C에서 작동하며 온도가 내려가면 자동 복구되므로, 과도한 부하로 인한 일시적 셧다운은 시스템 레벨에서 자연스럽게 핸들링된다. UVLO는 VM이 약 4V 이하로 떨어질 때 출력을 차단해 로직 오동작을 방지하며, 전원 투입 시에도 VM이 안정화될 때까지 출력을 억제하는 파워온 리셋 역할을 겸한다.

    A채널 입력(AIN1, AIN2)은 Tri-level 입력으로 설계되어 있어, HIGH·LOW 외에 Hi-Z 상태도 감지한다. 이를 통해 정방향·역방향 구동 외에 감속(coast) 모드를 구현할 수 있으며, MCU GPIO를 입력 모드(Hi-Z)로 전환하는 것만으로 모터를 관성 회전시킬 수 있다. B채널(BIN1, BIN2)은 일반 로직 입력에 내부 풀다운이 있어 플로팅 시 자동으로 LOW로 인식되므로, 미사용 채널은 단순히 개방해 두면 된다.

    DRV8848 datasheet page 3: pin configuration and functions
    그림 3: DRV8848 핀 구성 (16-Pin HTSSOP)

    설계 시 주의사항

    VM 핀의 디커플링은 특히 중요하다. 모터 구동 중 발생하는 전류 스파이크가 전원 레일을 흔들면 UVLO가 오작동할 수 있으므로, 100μF 전해 커패시터와 0.1μF MLCC를 VM 핀에 최대한 가까이 병렬 배치해야 한다. VINT 핀은 내부 3.3V 레귤레이터의 출력으로, 0.47μF 이상의 세라믹 커패시터로 바이패스하지 않으면 레귤레이터가 발진할 가능성이 있다.

    방열은 HTSSOP 패키지 하단의 PowerPAD에 달려 있다. PowerPAD는 반드시 GND 플레인에 납땜하고, 최소 9개 이상의 비아로 내층 GND와 열적 경로를 확보해야 한다. 2A 연속 구동 시 접합 온도 상승을 40°C 이내로 억제하려면 4-layer 기판의 내층 GND를 히트 스프레더로 활용하는 것이 사실상 필수다. nSLEEP 핀은 내부 풀다운이 있어 플로팅 시 자동으로 슬립 모드에 진입하므로, MCU가 초기화되기 전까지 모터가 구동되지 않도록 보장하는 안전 인터록으로 활용할 수 있다.


    DRV8848 vs L293D power dissipation
    그림 4: 채널당 전력 손실 비교 — DRV8848(청색, I²×0.9Ω), L293D(적색, I×1.8V), DRV8833(녹색 점선, I²×0.6Ω). 1A 구동 시 DRV8848은 L293D 대비 손실이 50% 감소

    경쟁 소자와의 비교

    같은 소형 모터 드라이버 계열에서 DRV8833과 L293D가 자주 비교된다. DRV8833은 2.7V~10.8V 전압 범위와 600mΩ의 더 낮은 \( R_{DS(on)} \)을 제공하지만, 최대 전압이 10.8V로 제한되어 12V 시스템에서는 사용할 수 없다. L293D는 36V까지 대응 가능하지만 BJT Darlington 출력단의 \( V_{CE(sat)} \)이 1.8V 이상으로, 1A만 구동해도 채널당 1.8W의 손실이 발생해 사실상 소전류 구동에만 적합하다. DRV8848은 4V~18V 범위와 900mΩ \( R_{DS(on)} \)으로 12V 시스템에서 최적의 밸런스를 제공하며, 여기에 내장 초퍼 레귤레이션과 nFAULT 진단 기능을 갖추고 있어 산업용 및 가전 제품의 신뢰성 요구사항을 단일 칩으로 충족시킨다. nSLEEP 핀의 3μA 슬립 전류와 자동 복구되는 보호 기능은 단순한 모터 드라이버를 넘어 시스템 수준의 견고성을 제공하는 핵심 차별점이다.

  • ULN2003 vs TPL7407L — DARLINGTON ARRAY와 NMOS ARRAY의 차이점

    ULN2003 vs TPL7407L — DARLINGTON ARRAY와 NMOS ARRAY의 차이점

    여러 채널의 부하를 하나의 IC로 구동해야 할 때, 대표적으로 사용되는 소자가 ULN2003과 같은 달링턴 어레이(Darlington Array)와 TPL7407L과 같은 NMOS 어레이다. 두 소자 모두 릴레이, 모터, LED, 솔레노이드와 같은 유도성 부하를 저전압 로직 신호로 구동할 수 있지만, 내부 구조가 BJT 기반인지 MOSFET 기반인지에 따라 전기적 특성과 손실이 크게 달라진다. 특히 전원 회로의 보조 구동단이나 시퀀스 제어에서는 이러한 어레이 소자의 선택이 신뢰성과 효율에 직접적인 영향을 준다.


    달링턴 어레이의 구조와 동작 — ULN2003을 중심으로

    ULN2003은 7채널의 NPN 달링턴 페어를 하나의 패키지에 집적한 소자로, 각 채널은 2개의 NPN 트랜지스터와 입력 저항 \( R_{B} \) , 베이스-이미터 저항 \( R_{BE} \) , 그리고 출력단의 플라이백 다이오드(flyback diode)로 구성된다. 입력 신호가 2.4V 이상 인가되면 달링턴 페어가 도통하여 출력이 GND 방향으로 전류를 싱크(sink)하는 오픈컬렉터 구조다.

    ULN2003A datasheet page 1 - internal schematic at top-right
    그림 1: ULN2003 단일 채널 내부 구조 — 2개의 NPN 트랜지스터로 구성된 달링턴 페어, 입력 저항 Rb(2.7kΩ), 베이스-이미터 저항 Rbe(7.2kΩ), 플라이백 다이오드 D1 포함

    달링턴 구성의 특성상 입력단 \( Q_{1} \) 과 출력단 \( Q_{2} \) 의 베이스-이미터 전압이 직렬로 연결되므로, 출력 포화 전압 \( V_{CE(sat)} \) 은 약 0.9V~1.1V로 비교적 높다. 예를 들어 \( I_{C} = 350mA \) 로 구동할 때, ULN2003의 \( V_{CE(sat)} \) 은 약 1.1V로 채널당 약 0.39W의 손실이 발생한다. 전체 7채널을 동시 구동하면 2.7W 이상의 열이 발생하므로 방열 설계가 필수적이다.

    ULN2003은 제조사에 따라 ULN2003A(LV), ULQ2003 등 다양한 변형이 있지만, 모든 채널이 동시에 최대 정격으로 동작하는 것은 보장되지 않는다. 데이터시트에는 채널당 최대 500mA의 싱크 전류를 표시하고 있으나, 이는 1채널만 구동할 때의 값이며 7채널 동시 구동 시에는 발열 제한으로 인해 채널당 100~150mA로 디레이팅해야 한다. 또 입력 전압이 TTL 레벨(5V)을 기준으로 설계되어 있어, 3.3V 마이크로컨트롤러로 직접 구동할 때는 \( V_{BE} \) 마진 부족으로 동작이 불안정해질 수 있다.

    그럼에도 ULN2003은 수십 년간 검증된 신뢰성과 광범위한 호환성을 가진다. 내장된 플라이백 다이오드 덕분에 릴레이나 솔레노이드 같은 유도성 부하를 외부 다이오드 없이 바로 구동할 수 있으며, 단가가 낮고 입수가 쉬워 산업용 제어 회로에서 여전히 널리 사용된다.


    NMOS 어레이의 구조와 동작 — TPL7407L을 중심으로

    TPL7407L은 7채널의 N채널 MOSFET을 하나의 패키지에 집적한 소자로, TI에서 ULN2003의 대체품으로 출시하였다. 각 채널은 N-MOSFET, 게이트 구동 회로, 풀다운 저항으로 구성되며, ULN2003과 마찬가지로 오픈드레인(open-drain) 싱크 구조를 가진다.

    TPL7407L datasheet page 7 - Functional Block Diagram
    그림 2: TPL7407L 단일 채널 내부 구조 — N-MOSFET(M1), 게이트 드라이버, 풀다운 저항 Rpd(200kΩ)로 구성된 오픈드레인 구조. 유도성 부하에는 외부 플라이백 다이오드(D_ext)가 필요함

    출력단에는 플라이백 다이오드가 내장되어 있지 않으므로, 유도성 부하 구동 시에는 외부에 다이오드를 추가하거나 공통 핀(COM)을 부하 전원에 연결해야 한다.

    MOSFET 기반이므로 BJT의 \( V_{CE(sat)} \) 와 달리, 도통 시 저항 \( R_{DS(on)} \) 으로 손실을 모델링한다. \( I_{D} \) 의 전류가 흐를 때의 전압 강하는 \( V_{DS} = I_{D} \times R_{DS(on)} \) 이며, TPL7407L은 \( V_{GS} = 3.3V \) , \( I_{D} = 350mA \) 에서 \( R_{DS(on)} \) 이 약 1.2Ω 이하이므로 \( V_{DS} \approx 0.42V \) , 손실은 약 0.15W에 불과하다. 동일 조건의 ULN2003(약 0.39W) 대비 손실이 60% 이상 적다.

    입력 전압 특성도 가장 큰 차별점이다. TPL7407L은 \( V_{IH(min)} = 1.5V \) 로, 1.8V나 3.3V 로직에서도 충분한 게이트 구동 전압을 확보할 수 있다. 따라서 레벨 시프터 없이 저전압 마이크로컨트롤러로 직접 구동할 수 있어, 최신 MCU 기반 설계에서 부품 수를 줄일 수 있다. 또 입력 임피던스가 높아 마이크로컨트롤러 GPIO의 구동 전류 부담이 거의 없다.

    스위칭 속도 면에서도 MOSFET은 소수 캐리어 축적 효과가 없기 때문에, TPL7407L의 턴-온/턴-오프 시간은 수십 ns 수준으로 kHz 이상의 PWM 구동에도 적합하다. 반면 ULN2003은 \( t_{off} \) 가 수 μs 이상으로, 고속 스위칭 시 손실이 급격히 증가한다.

    단점으로는 플라이백 다이오드가 내장되지 않아 유도성 부하에 대해 추가 부품이 필요하고, 정전기(ESD)에 민감한 MOSFET 특성상 취급 및 보호 회로 설계에 더 많은 주의가 필요하다. 또한 ULN2003에 비해 단가가 약간 높고, 핀 배열이 완전히 동일하지 않아 기존 ULN2003 설계에 드롭인(drop-in) 대체가 되지 않는 경우가 많다.


    주요 특성 비교: ULN2003 vs TPL7407L

    두 소자의 주요 전기적 특성을 정리하면 다음과 같다. 가장 큰 차이는 출력단 소자의 종류에서 비롯된 전압 강하와 입력 임계값에 있다.

    특성 ULN2003 (달링턴 어레이) TPL7407L (NMOS 어레이)
    출력 소자 NPN Darlingtion (BJT) N-Channel MOSFET
    채널 수 7 7
    입력 임계값 \( V_{IH(min)} \) 2.4V (TTL) 1.5V (CMOS)
    출력 전압 강하 \( @350mA \) \( V_{CE(sat)} = 0.9V \sim 1.1V \) \( V_{DS} = I_{D} \times R_{DS(on)} \approx 0.42V \)
    채널당 손실 \( @350mA \) \( P_{D} \approx 0.39W \) \( P_{D} \approx 0.15W \)
    7채널 동시 구동 손실 \( P_{D(total)} > 2.7W \) \( P_{D(total)} \approx 1.0W \)
    턴-오프 시간 수 μs (느림) 수십 ns (빠름)
    내장 플라이백 다이오드 있음 (COM-SUPPLY) 없음 (외부 추가 필요)
    입력 임피던스 중간 (BJT 입력) 높음 (MOSFET 입력)
    최소 입력 전압 약 2.0V 이상 필요 1.5V 이상
    PWM 호환성 저속 (1kHz 이하 권장) 고속 (수십 kHz 가능)
    단가 낮음 중간
    ESD 내성 높음 중간 (보호 회로 필요)
    ULN2003 vs TPL7407L 전력 손실 비교 그래프
    그림 3: 채널당 전력 손실 비교 — ULN2003(적색)은 전류에 선형 비례, TPL7407L(녹색 점선)은 I²에 비례하는 2차 곡선. 동일 전류에서 TPL7407L의 손실이 현저히 낮음

    표에서 보듯이, 두 소자의 본질적인 차이는 출력 전압 강하에서 비롯되는 전력 손실이다. ULN2003은 \( V_{CE(sat)} \) 이 전류에 따라 크게 변하지 않는 반면, TPL7407L은 \( R_{DS(on)} \) 이 부성 온도 계수를 가지므로 온도 상승 시 저항이 증가하여 손실이 다소 늘어날 수 있다. 그러나 실사용 영역에서는 TPL7407L의 손실이 ULN2003보다 항상 작다. 또 입력 특성에서 CMOS 레벨(1.8V)과 TTL 레벨(5V)의 차이가 현저하여, 저전압 시스템 설계에서는 TPL7407L이 사실상 유일한 선택지가 된다.


    설계 시 선택 기준

    실제 설계에서는 다음과 같은 조건에 따라 소자를 선택한다.

    구동 전류가 작고 채널 수가 적은 경우에는 단가가 낮고 검증된 ULN2003이 충분히 적합하다. 릴레이 2~3개를 구동하는 단순한 시퀀스 제어 회로에서는 \( V_{CE(sat)} \) 에 의한 손실이 문제 되지 않으며, 내장 플라이백 다이오드로 부품 수를 줄일 수 있어 ULN2003이 유리하다.

    저전압 마이크로컨트롤러(1.8V/3.3V)로 직접 구동해야 하는 경우에는 TPL7407L을 선택한다. ULN2003은 3.3V 로직에서 \( V_{BE} pprox 1.3V \) 를 빼면 베이스 전류 마진이 부족하여 온도 변화나 소자 편차에 따라 동작이 불안정해질 수 있다. 레벨 시프터를 추가할 수 있지만, 부품 수와 기판 면적이 증가하므로 TPL7407L 한 개로 해결하는 것이 효율적이다.

    다채널 동시 구동이 많거나 전력 효율이 중요한 경우에도 TPL7407L이 적합하다. 예를 들어 SMPS의 보조 전원 시퀀서에서 4채널 이상의 릴레이를 동시에 구동한다면, ULN2003의 발열이 문제가 될 수 있다. TPL7407L은 동일 조건에서 열 손실이 절반 이하이므로 방열판을 생략하거나 기판 사이즈를 줄일 수 있다.

    PWM 구동으로 전류 제어가 필요한 경우에는 스위칭 속도가 빠른 TPL7407L을 사용한다. ULN2003은 수백 Hz~1kHz 정도의 저속 PWM만 가능하지만, TPL7407L은 수십 kHz의 PWM 구동이 가능하여 LED 디밍이나 DC 모터 속도 제어에 적합하다.

    고전압/고전류 유도성 부하 구동 시에는 플라이백 다이오드가 내장된 ULN2003이 편리하다. TPL7407L은 외부에 쇼트키 다이오드를 추가해야 하므로 부품 수가 늘어나지만, 외부 쇼트키 다이오드의 \( V_{F} \) 가 ULN2003 내장 다이오드의 \( V_{F} \) 보다 낮아 역기전력 억제 성능이 더 우수할 수도 있다.


    실장 호환성과 대체 시 주의사항

    ULN2003과 TPL7407L은 모두 16핀 SOIC/DIP 패키지로 제공되며, 핀 배열도 유사하게 설계되어 있으나 완전히 동일하지는 않다. ULN2003의 9번 핀은 플라이백 다이오드의 캐소드 공통 단자(COM)이나, TPL7407L의 9번 핀은 부하 전원에 직접 연결해야 하는 전원 핀으로 기능이 다르다. 따라서 기존 ULN2003 설계를 TPL7407L로 단순 교체할 수 없으며, 회로 수정이 필요하다.

    반대로 TPL7407L을 사용 중인 설계에서 ULN2003으로 대체할 경우, 입력 신호 레벨이 3.3V 이하라면 충분한 베이스 전류를 확보할 수 없어 동작하지 않을 수 있으므로 반드시 확인해야 한다.

    핀 배열 비교 (16-SOIC/DIP)

    핀 번호ULN2003TPL7407L차이점
    11B (입력 1)1B (입력 1)동일
    22B (입력 2)2B (입력 2)동일
    33B (입력 3)3B (입력 3)동일
    44B (입력 4)4B (입력 4)동일
    55B (입력 5)5B (입력 5)동일
    66B (입력 6)6B (입력 6)동일
    77B (입력 7)7B (입력 7)동일
    8GNDGND동일
    9COM (플라이백 다이오드 공통)VDD (부하 전원)⚠️ 기능 다름
    107C (출력 7)7C (출력 7)동일
    116C (출력 6)6C (출력 6)동일
    125C (출력 5)5C (출력 5)동일
    134C (출력 4)4C (출력 4)동일
    143C (출력 3)3C (출력 3)동일
    152C (출력 2)2C (출력 2)동일
    161C (출력 1)1C (출력 1)동일
    표 2: ULN2003 vs TPL7407L 핀 배열 비교 — 9번 핀의 기능이 가장 큰 차이점

    핵심 차이는 9번 핀에 있다. ULN2003의 9번 핀(COM)은 내장 플라이백 다이오드의 공통 캐소드 단자로, 유도성 부하의 역기전력을 전원으로 클램핑하는 역할을 한다. 반면 TPL7407L의 9번 핀은 부하 전원(VDD) 입력 핀이므로, 유도성 부하 구동 시 반드시 외부에 쇼트키 다이오드를 추가해야 한다. 이 차이로 인해 두 소자는 단순 핀-투-핀 대체(drop-in replacement)가 불가능하다.

    최근에는 ULN2003의 단점을 보완하면서도 유사한 핀 배열과 내장 다이오드를 갖춘 소자들이 등장하고 있으며, TI의 TPL7407L뿐 아니라 Toshiba의 TBD62083A(DMOS), Infineon의 ISO1H811G(절연형) 등 다양한 대체 소자가 있으므로 설계 요구사항에 맞추어 최신 소자를 검토하는 것이 바람직하다.