Power SMPS

Expand your power

[태그:] 전원 공급

power supply

  • SMPS Y-Cap의 EMC와 가청 소음, 실장과 소자 선정으로 해결한다

    SMPS Y-Cap의 EMC와 가청 소음, 실장과 소자 선정으로 해결한다

    SMPS 설계에서 Y-Cap은 EMI 규제를 통과하기 위한 필수 소자지만, 막상 실장하고 나면 예상치 못한 부작용과 마주하는 경우가 많다. 접지 패턴을 조금만 길게 빼도 EMC 마진이 순식간에 무너지고, 조용해야 할 회로가 윙윙거리는 가청 소음을 내기도 한다. Y-Cap은 단순히 “데이터시트 정격만 맞추면 되는” 수동 소자가 아니라, 실장 레이아웃과 유전체 재료 특성까지 고려해야 비로소 제 역할을 하는 까다로운 부품이다. 이 글에서는 Y-Cap의 EMC 성능을 좌우하는 접지 배선 길이의 영향과, 스위칭 노이즈가 유전체를 통해 가청 소음으로 변환되는 메커니즘, 그리고 각각의 문제를 실장 최적화와 소자 선정으로 해결한 실제 경험을 다룬다.


    Y-Cap의 EMC 역할과 접지 배선의 함정

    Y-Cap CM 노이즈 경로 등가 회로
    그림 1: SMPS 1차-2차 간 기생 용량 Cps를 통해 흐르는 CM 노이즈 전류 경로의 등가 회로. Y-Cap(CY)이 노이즈를 FG로 바이패스하지만, PCB 배선의 기생 인덕턴스 Ltrace가 직렬로 작용하여 고주파 바이패스 성능을 제한한다.

    Y-Cap은 SMPS의 1차 측과 2차 측, 혹은 1차 측과 접지(FG) 사이에 연결되어 Common-Mode(CM) 노이즈를 바이패스하는 경로를 제공한다. 스위칭 소자의 고속 턴온·턴오프로 인해 트랜스포머의 1차-2차 간 기생 커패시턴스 \( C_{ps} \)를 통해 CM 전류가 흐르는데, 이 전류가 LISN으로 돌아가면 EMI 측정에서 허용 레벨을 초과하게 된다. Y-Cap은 이 전류를 접지 쪽으로 션트하여 LISN에 나타나는 CM 전압을 낮추는 역할을 한다.

    그런데 회로도 상에서는 Y-Cap이 완벽한 단락처럼 보이지만, 실제 PCB에서는 Y-Cap에서 접지까지의 배선이 기생 인덕턴스로 작용한다(그림 1의 Ltrace). 이 인덕턴스는 Y-Cap과 직렬로 연결된 등가 회로를 형성하여, 고주파로 갈수록 임피던스가 상승하고 바이패스 효과가 급격히 떨어진다. 수식으로 표현하면 Y-Cap을 포함한 바이패스 경로의 임피던스는 \( Z = \sqrt{R_{ESR}^2 + (\omega L_{trace} – \frac{1}{\omega C_Y})^2} \) 로 주어지며, 배선 길이에 비례하는 \( L_{trace} \) 항이 고주파 EMI 성능을 결정짓는 핵심 변수가 된다.

    Y-Cap + 배선 인덕턴스 합성 임피던스 vs 주파수
    그림 2: 2.2 nF Y-Cap과 배선 인덕턴스의 직렬 합성 임피던스. 단배선(2 nH, 약 3 mm)은 100 MHz까지 낮은 임피던스를 유지하지만, 장배선(10 nH, 약 15 mm)은 30 MHz 이상에서 임피던스가 급격히 상승하여 바이패스 효과를 상실한다.

    짧은 접지가 EMC 마진을 좌우하는 이유

    필자의 경험 중 하나는, Y-Cap의 접지 배선 길이를 절반으로 줄였을 때 30~100 MHz 대역에서 6 dB 이상의 CM 노이즈 저감을 확인한 사례다. 초기 설계에서는 Y-Cap을 PCB 가장자리에 배치하고 접지면까지 15 mm 정도의 트레이스로 연결했는데, 이 정도 길이만으로도 약 8~10 nH의 기생 인덕턴스가 발생한다. 50 MHz에서 이 인덕턴스의 리액턴스는 \( 2\pi \times 50 \times 10^6 \times 10 \times 10^{-9} \approx 3.14\,\Omega \) 로, 2.2 nF Y-Cap의 리액턴스 \( 1/(2\pi \times 50 \times 10^6 \times 2.2 \times 10^{-9}) \approx 1.45\,\Omega \) 와 합쳐져 전체 임피던스가 두 배 이상 상승한다.

    이 문제는 Y-Cap을 접지면과 같은 레이어에 배치하고 패드를 접지면에 직접 연결(Direct Connect)하는 방식으로 해결했다. 스루홀 부품이라면 접지면 레이어에 써멀 릴리프 없이 풀 컨택으로 연결하고, SMD Y-Cap이라면 부품 바로 옆에 접지 비아를 여러 개 배치하여 귀환 경로의 인덕턴스를 최소화한다. 포트-인-비아(Pour-in-Via) 기법으로 Y-Cap 패드와 내층 접지면 사이의 거리를 수 mm 이내로 유지하면 기생 인덕턴스를 2 nH 이하로 억제할 수 있었고, 그 결과 30 MHz 대역에서도 Y-Cap 본연의 바이패스 성능을 유지할 수 있었다.

    접지 배선 최적화 전후 CM 노이즈 레벨 비교
    그림 3: 접지 배선 최적화 전후의 주파수 대역별 CM 노이즈(QP) 측정 비교. 15 mm 장배선 대비 3 mm 단배선 적용 시 30~200 MHz 대역에서 뚜렷한 저감 효과를 보이며, 특히 100~200 MHz 대역에서 8 dB 이상 개선된다.

    그림 3에서 확인할 수 있듯이, 접지 배선을 3 mm 수준으로 단축한 후 100~200 MHz 대역에서 CM 노이즈가 8 dB 이상 저감되어 EMI 마진을 충분히 확보할 수 있었다. 결국 Y-Cap에서 중요한 것은 “몇 nF를 썼느냐”보다 “접지까지 몇 mm를 썼느냐”에 가깝다.


    Y-Cap을 타고 흐르는 가청 소음의 정체

    Y-Cap의 또 다른 숨은 문제는 가청 소음이다. SMPS의 스위칭 주파수 자체는 통상 65~130 kHz로 인간의 가청 범위를 벗어나지만, 경부하 시 버스트 모드나 스킵 사이클이 동작하면 스위칭 펄스 열의 반복 주파수가 수백 Hz에서 수 kHz 대역으로 낮아진다. 이 불연속적인 펄스 열은 주파수 스펙트럼 상에서 가청 대역에 강한 고조파 성분을 만들어내고, 이 성분이 Y-Cap을 통해 접지 라인으로 흐르면서 문제를 일으킨다.

    일반적인 Y-Cap에 사용되는 고유전율 세라믹(X7R, Y5V, Z5U 등)은 강유전체(Ferroelectric) 특성을 가지며, 인가 전압에 따라 유전체가 미세하게 변형되는 압전 효과(Piezoelectric Effect)를 나타낸다. 스위칭 노이즈 전압이 Y-Cap 양단에 인가될 때마다 유전체가 수축·팽창을 반복하고, 이것이 기판을 통해 공기 중으로 방사되어 가청음으로 변환되는 것이다. 현상 자체는 세라믹 커패시터의 마이크로포닉스와 동일한 메커니즘이지만, Y-Cap의 경우 안전 규격상 일정 두께 이상의 유전체를 사용해야 하므로 변형량이 더 크고 소음도 더 두드러진다.

    필자가 경험한 사례에서는 정격 15 W급 오픈 프레임 SMPS에서 경부하 동작 시 2~4 kHz 대역의 “찌르르” 하는 소음이 발생했다. 오실로스코프로 Y-Cap 양단을 측정해보니 버스트 모드의 펄스 버스트 반복 주파수가 정확히 가청음의 기본 주파수와 일치했고, Y-Cap을 제거하면 소음이 사라졌지만 CM 노이즈가 15 dB 이상 상승하여 EMI 규제를 통과할 수 없었다.


    저유전율 Y-Cap으로 소음을 잡다 — 트레이드오프의 실체

    이 소음 문제의 근본 원인은 유전체 재료의 압전 계수에 있다. 유전율이 높은 X7R 계열(BaTiO₃ 기반)은 유전율 \( \varepsilon_r \) 이 2,000~3,000에 달하지만, 결정 구조가 외부 전계에 민감하게 반응하여 압전 변형이 크다. 반면 온도 보상용 NP0/C0G 계열(CaZrO₃ 기반)은 유전율이 20~100 수준으로 낮은 대신, 상유전체(Paraelectric) 특성을 가져 압전 효과가 거의 없다.

    Y-Cap 유전체 재료 특성 비교: X7R vs NP0/C0G
    그림 4: Y-Cap 유전체 재료의 특성 비교 레이더 차트. X7R(BaTiO₃)은 고유전율로 소형화에 유리하지만 압전 소음과 DC 바이어스 특성이 취약하다. NP0/C0G(CaZrO₃)는 유전율이 낮아 소형화에 불리하지만 압전 소음 저감, 온도 안정성, DC 바이어스 내성 등 모든 정성적 지표에서 우수하다.

    여기서 실용적인 트레이드오프가 발생한다. 동일한 2.2 nF 용량을 구현하려면, X7R은 \( \varepsilon_r \approx 2500 \) 이므로 작은 디스크 직경으로 충분하지만, NP0/C0G는 \( \varepsilon_r \approx 50 \) 으로 유전율이 1/50 수준이므로 같은 용량을 얻기 위해 훨씬 큰 전극 면적, 즉 더 큰 디스크 직경이 필요하다.

    동일 2.2nF Y-Cap 디스크 직경 비교: X7R vs NP0
    그림 5: 동일 2.2 nF 용량에서 X7R과 NP0의 디스크 직경 비교. NP0는 X7R 대비 약 1.5배 큰 디스크 직경이 필요하지만, 압전 진동이 근본적으로 억제되어 가청 소음이 측정 한계 이하로 사라진다.

    실제로 필자가 적용한 NP0 2.2 nF Y-Cap은 X7R 동일 용량 대비 디스크 직경이 약 6.5 mm에서 10 mm로 1.5배 커졌다(그림 5). PCB 실장 면적은 늘어나지만, 압전 진동이 근본적으로 억제되므로 가청 소음은 측정 한계 이하로 사라졌고 CM 노이즈 억제 성능은 동일하게 유지되었다.

    특성X7R (BaTiO₃)NP0/C0G (CaZrO₃)
    비유전율 εr2,000 ~ 3,00020 ~ 100
    정전용량 온도 계수±15% (−55~+125°C)0 ±30 ppm/°C
    DC 바이어스 특성정격 전압에서 −50% 이상 저하거의 변화 없음
    압전 효과 (소음)강함 — 가청 소음의 주요 원인무시할 수준 — 상유전체
    2.2 nF 디스크 직경약 6.5 mm약 10 mm
    Y2 안전 규격 대응범용 라인업 풍부주문 대응 위주 (제한적)
    적용 추천소음 민감도 낮은 산업용가전, 의료기기, 오디오
    표 1: Y-Cap 유전체 재료 X7R과 NP0/C0G의 주요 특성 비교. 소음이 문제 되는 애플리케이션에서는 디스크 크기 증가를 감수하고 NP0로 전환하는 것이 효과적이다.

    이 선택에서 중요한 점은 Y-Cap의 안전 규격(Y1/Y2)을 만족하는 NP0 재료가 시장에 많지 않다는 현실이다. 대부분의 Y-Cap은 X7R이나 Y5V 기반으로 생산되므로, 저유전율 Y-Cap을 찾으려면 제조사에 직접 문의하거나 특수 라인업을 검토해야 한다. 국내 패시브 제조사 중에서는 Y2 등급의 NP0 디스크 커패시터를 주문 대응하는 곳이 있으며, 용량이 1~2.2 nF 정도라면 디스크 직경 7~10 mm 선에서 구현 가능하다. 용량이 더 필요한 경우에는 Y-Cap을 병렬로 분할하여 개별 소자의 전계 강도를 낮추는 방식도 고려할 수 있다.


    실전 Y-Cap 선정과 실장 가이드

    위의 두 경험을 종합하면, Y-Cap 설계의 핵심 원칙은 다음 세 가지로 요약된다. 첫째, 접지 배선 길이를 극단적으로 짧게 유지한다. Y-Cap 패드와 접지면 사이의 거리가 5 mm를 넘지 않도록 레이아웃하고, 써멀 릴리프 없이 직접 연결하여 기생 인덕턴스를 2 nH 이하로 억제한다. 둘째, 가청 소음이 문제가 되는 애플리케이션(거실용 가전, 의료기기, 오디오 기기 등)에서는 유전체 재료를 X7R에서 NP0/C0G로 전환하는 것을 적극 검토한다. 디스크 크기 증가로 인한 실장 면적 페널티는 1.5배 정도로 수용 가능한 수준이며, 소음 저감 효과는 극적이다. 셋째, 두 조건을 모두 만족시키지 못할 경우 Y-Cap 용량을 여러 개로 분할하여 각 소자의 전계 강도와 전류 밀도를 낮추되, 분할된 각 Y-Cap마다 짧은 접지 경로를 독립적으로 확보해야 한다. 공통 트레이스로 묶어서 접지면까지 길게 빼는 순간 분할의 의미가 사라진다.

    Y-Cap은 SMPS 설계자에게 작지만 결코 만만하지 않은 소자다. “데이터시트 보고 용량만 맞추면 된다”는 생각으로 접근하면 EMC 리테스트와 소음 컴플레인이라는 두 개의 부메랑이 되어 돌아온다. 반대로 배선 길이와 유전체 재료라는 두 변수를 의식적으로 통제하면, Y-Cap은 가장 적은 비용으로 가장 큰 EMC 마진을 벌어주는 고마운 부품이 된다.

  • 평활 커패시터의 선택 방법

    평활 커패시터의 선택 방법

    정류 회로에서 가장 주의해야 하는 것은 평활 커패시터의 선택이다. 여기에는 크기당 용량을 가장 크게 할 수 있는 알루미늄 전해 커패시터를 주로 사용한다. 전해 커패시터는 간단한 구조의 부품이지만, 제대로 사용하지 않으면 직류 전원의 특성이 나오지 않거나, 커패시터가 파손 될 수 있기 때문에 주의 해야 한다.

    또 급격하게 파손되지는 않아도 짧은 시간에 정전용량이 감소되어 수명이 짧아지는 경우도 있다. 전원 장치의 신뢰성은 전해 콘덴서에 의해 결정된다고 해도 과언이 아니므로, 사용방법을 충분히 숙지해 두어야 한다.


    커패시터의 전압 정격

    커패시터의 내압은 정류, 평활 후 리플 전압의 피크값 이상이어야 하기 때문에, 트랜스의 권선 전압을 \( \sqrt{2} \)로 한 전압을 선정한다. 물론 이때는 입력 전압의 변동값을 고려해야 해야 한다.

    Maximum VA ratingRegulation(%)
    1035
    1525
    3017
    5015
    7012
    1009.5
    2007
    3006
    5003.8
    10002.5
    Transformer Regulation per Maximum VA Rating

    또한 트랜스에 표시되어있는 단자 전압은 정격 전류를 흐르게 했을 때의 것으로, 전류가 감소하면 전압값이 상승하기 때문에 주의가 필요하다. 이것은 트랜스 권선의 저항에 따른 전압 강하가 있기 때문이며, 그 비율을 변동률이라 하고 \( \varepsilon\)로 표시하고 있다.

    트랜스의 정격 전압을 \( \varepsilon\), 입력 전압의 변동을 \(\pm \alpha %\)로 하면 커패시터의 내압 \(V_{C}\)는 \(V_{C}\geq \varepsilon \times \frac{100+\alpha }{100}\times \sqrt{2}\varepsilon\)이어야 한다. 전해 커패시터에 연속하여 인가되는 내압을 Working Volt(WV)라고하며, WV의 약 1.3배를 서지 전압에 대한 상한값으로 고려하여 선정한다.

    커패시터는 인가 전압에 따라 수명이 줄어든다. 이것은 커패시터 자체의 누설 전류에 의해 자체 발열이 됮기 때문인데, 인가 전압이 커패시터의 내압 정격을 넘지 않더라도 정격 저감(derating)하여 신뢰성 수명을 고려하여 선정한다. 최근의 전해 커패시터는 누설전류가 무시할 수 있을 정도로 작은 것이 많이 사용되고 있으므로, 누설전류가 작은 제품을 선정하는 것도 방법이다.

    Examples of Capacitor characteristics : Samwha HC Series Capacitor

    커패시터의 정전 용량

    가능한 소형의 커패시터를 사용하는 것이 비용 측면에서 좋지만, 너무 작은 용량의 커패시터는 정류 출력의 리플전압이 증가하게 된다. 평활 커패시터의 용량을 구하는 가장 일반적인 방법은 O.H. Schade의 그래프를 이용하는 것이다.

    Relation of Applied Alternating Peak Voltage to Direct Output Voltage in Full wave capacitor Input Circuits

    먼저 정류 후의 등가 부하 저항 \(R_{L}\)을 구한다. 이때의 정류 전압 \(V_{O}\)는 전압 파형의 왜곡, 정류 다이오드의 순방향 전압 강하, 리플 전압을 고려하여 그 평균값을 구하기 위한 계수를 0.9로 하여 곱한다.

    즉 \(V_{O}=\tilde{e}\times \sqrt{2}\times 0.9\)가 된다.

    직류 전류 \(I_{O}\)는 일반적인 레귤레이터에서는 출력 전류 \(I_{O}\)이기 때문에 \( R_{L}=\frac{V_{O}}{I_{O}} \)가 된다.

    다음에 \(\frac{R_{S}}{R_{L}}\)을 구한다. \(R_{S}\)는 정류 회로의 라인 임피던스로, 대부분이 트랜스의 권선저항 정도이다. 트랜스는 변동률 (\\varepsilon\)이 정격으로부터 대략적으로 알려져 있기 때문에 무부하시의 정류 전압 \({V_{O}}’ \)는 \(V_{O}’=\left [ 1+\frac{\varepsilon }{100} \right ]\times V_{O}\)로 구할 수 있다.

    따라서 트랜스의 권선 저항 \(R_{S}\)에 따른 전압 강하는 \({V_{O}}’ – V_{O}=I_{O}R_{S}\)가 되기 때문에 \(R_{S}=\frac{\varepsilon}{100}\frac{V_{O}}{I_{O}}\)로 구할 수 있다

    예를 들어 O.H. Schade의 표에서 세로축 전압변동률이 90(-10%)일 때, 가로축 \(\omega CR_{L}=10\)이상이다. 전원주파수 60Hz, 출력전압 \(V_{O}=15V\), 출력전류 \(I_{C}=3A\)일 경우 커패시터의 용량 \(C=\frac{10}{2\pi\times 60 \times 5}=5,300uF\)이상이 되어야한다.


    전해 커패시터의 허용 리플 전류

    전해 커패시터의 리플 전류 값 \(I_{r}\)의 허용값은 커패시터의 순저항에 의해 발생하는 손실로, 온도가 10℃상승 할 때 마다 수명이 반감된다.

    전해 커패시터는 일반적으로 85℃, 고온용 105℃를 사용온도 한계로 가지며, 통상 최대 2000시간 정도의 동작 밖에 보증되어 있지 않다. 따라서 85℃의 것을 55℃로 사용하면 수명 \(T=2000\times 2^{(85-55)/10}=16000\)시간으로, 연속하여 사용하면 2년 정도 밖에 사용할 수 없다. 따라서 커패시터의 신뢰성 수명이 중요한 경우에는 가능한 리플 전류 허용치가 높은 고온의 제품을 사용하며, 자체 발열 및 주위의 열로부터 방열 할 수 있도록 하는 것이 중요하다.

    허용 리플 전류는 온도 및 주파수에 의해서도 변화한다. 일반적으로 datasheet에는 최고 온도 및 전파 정류의 120Hz에서의 값이 표시되어 있고, 아래와 같은 경감 계수를 적용 할 수 있다.

    Temp85706040
    Constant1.01.71.92.8
    Temperature Derating of Ripple Current

    Freq60120100010000
    Constant0.81.01.31.5
    Frequency Derating of Ripple Current in Capacitor

    예를들어 Samwha의 450WV, 220uF, 35㎜ ,수명 3000시간의 HC 커패시터를 60℃, 120Hz에서 사용 할 경우,리플 전류 값 \(I_{r}=1.14\times 1.9 \times 1.0=2.1A\) 까지 흐르는 것이 가능 하다.

    Examples of Capacitor characteristics : Samwha HC Series Capacitor

    전원 장치에 사용하는 전해 커패시터는 이 허용 리플 전류의 조건에 따라 부품을 선정해야 하는 것이 중요하다.

  • 브릿지 다이오드의 선정 방법

    브릿지 다이오드의 선정 방법


    다이오드의 특성

    다이오드는 그림에서 나타내듯이 ▶의 방향으로만 전류를 흐르게 할 수 있는 부품이다. 이것은 순방향 전압 \( V_{F} \) 이상으로 다이오드 양단에 전압이 인가되면 순방향 전류 \( I_{F} \)가 급격히 증가하는 비선형 관계이다. 또 순방향의 전류 \( I_{F} \)가 흐르면 반드시 순방향 전압 강하 \( V_{F} \)가 발생 한다.

    이때 전력 손실이 발생 하기 때문에 대전류의 정류 회로에서는 부품 발열에 유의해야한다. 다이오드가 발열 되면 누설 전류가 증가하고, 열 폭주로 인한 화재의 위험성이 있다. 때문에 대부분의 다이오드 플라스틱 몰드는 UL94V-0 이상의 난연 규격을 만족 하고 있다.

    Diode Forward Voltage(\( V_{F} \)) – Forward Current(\( I_{F} \))Characteristic

    브릿지 다이오드의 내압 \(V_{RM}\)선정

    브릿지 정류회로에서는 다이오드가 도통하고 있는 동안에 각각의 다이오드 양단 전압 \(V_{D}\)의 인가 전압 \( e\)의 \(\sqrt{2}\times e_{rms}\)가 된다. 실제로는 AC의 입력 전압이 변동하면 그것에 비례 하여 \( e_{rms}\)도 변화하기 때문에 최대 입력 전압 시에도 \(V_{D}\)가 다이오드의 내압 \(V_{RM}\)을 초과하지 않도록 해야 한다.

    또 실제 정류회로에서는 서지와 같은 외부 노이즈의 영향이 있기 때문에 \(V_{RM}\)을 충분히 여유가 있게 선정하여야 한다. 일반적으로 정류 전압의 2배의 내압을 선정하며, 인가 전압이 불안정하다면 더 높은 내압 선정이 필요하다.


    브릿지 다이오드의 순방향 전류 \(I_{F}\)선정

    일반적인 정류 회로에서는 다이오드를 흐르는 전류 \(i_{c}\)는 정현파가 아닌 펄스 파형으로 흐른다. 이 펄스 전류는 여러가지 조건으로 최대값이 변화한다.

    우선 다이오드를 흐르는 \(i_{c}\)의 평균값 \(I_{ave}\)는 정류 후의 직류 전류 \(I_{O}\)와 같아야 하기 때문에 반사이클의 주기를 \(T\)로 하고, 전류가 흐르고 있는 기간을 \(t_{1}\)으로 하면 \(\frac{1}{T}\int_{0}^{t_{1}}i_{c}dt=I_{0}\)가 된다.

    Relation of RMS and Peak to Average Diode Current in Capacitor-input Circuits
    From O.H Schade, Proc. IRE, Vol. 31, 1943, p. 356

    일반적으로 정류 다이오드의 순방향 전류 \(I_{F}\)는 이 \(i_{c}\)의 평균값에서 최대 정격이 정해져 있다. 그러나 이것은 전류가 직류로 흐른 경우의 값이고 펄스 전류는 정격값을 낮게 생각해야 한다. 이 펄스 전류의 최대값 \(i_{CP}\)는 O.H. Schade의 그래프로부터 구할 수 있다. 가로축의 \(n\omega CR_{L}\)의 \(n\)은 배전압 정류에서는 0.5, 반파정류에서는 1, 전파정류에서는 2의 계수를 가진다. \(C\)는 커패시터의 용량, \(R_{L}\)은 부하 저항 값이다.

    다음에 세로축의 \(R_{S}/\left ( nR_{L} \right )\)은 부하 저항과 라인 임피던스의 비율을 의미한다. 라인 임피던스 \(R_{S}\)는 배선의 저항 값은 물론 전원 트랜스의 권선 저항도 포함하여 생각해야한다.

    이러한 조건에서 아래 그래프에서 왼쪽 세로축의 수치를 읽는다. 이 수치에 출력 전류 \(I_{O}\)를 곱한 것이 전류의 최대값 \(i_{CP}\)이다.


    서지 전류를 고려한 다이오드 선정

    다이오드의 또 하나의 전류 조건은 서지 전류 \(I_{FSM}\)이다. 정류 회로에서는 처음에 전원 스위치를 동작하는 시점에 커패시터의 충전 전압은 0V로 되어 있다. 따라서 스위치를 동작한 순간에는 커패시터로 큰 충전 전류가 흐른다. 이것을 돌입 전류라고 하며 이 큰 충전 전류에 의하여 커패시터의 단자전압이 상승되고 그에 따라 서서히 충전의 전류값이 정상 상태로 된다.

    일반적으로 정류 다이오드의 서지 전류 \(I_{FSM}\)는 순방향 전류 \(I_{F}\)의 10배 정도의 값을 가지고 있다. 그러나 이것은 1사이클의 보증값이고 다이오드의 온도가 높은 상태에는 값이 저하된다.


    다이오드의 전력 손실

    다이오드는 순방향 전압 강하 \(V_{F}\)와 순방향 전류 \(I_{F}\)에 의해 전력 손실이 발생 한다. 그리고 이것에 의하여 발열하여 온도가 상승한다. 현재 일반적으로 사용되고 있는 실리콘 다이오드는 최대 정션온도 \(T_{j(max)}\)가 150℃이기 때문에 이것을 넘지 않도록 해야한다. 다이오드의 전류 정격은 정션온도에 도달하는 조건으로 정해져 있기 때문에 온도가 높은 경우에는 방열기를 설치하여 온도를 낮게하는 조치가 필요하다.

    다이오드의 전력 손실을 엄밀하게 계산하는 것은 쉽지 않다. 간단하게 계산하는 방법으로는 순방향 전압 강하 \(V_{F}\)에서 정류 후 출력 전류 \(I_{O}\)와의 곱을 손실로 하여 계산한다. 또 브릿지 다이오드에서는 항상 2개의 다이오드에 전류가 흐르기 때문에 합계 손실은 2배로 하여야 한다.

  • 왜 전자회로는 전원 안정화가 필요한가?

    왜 전자회로는 전원 안정화가 필요한가?


    전자회로는 DC 전원으로 동작한다

    모든 전자기기는 기기의 동작을 위하여 상용 전원인 교류 110V/220V 전압이나 배터리를 통한 전원 공급이 필요하다. 그리고 이러한 전자 기기들은 3.3V나 5V, 12V 등의 안정화된 직류 전원을 필요로 한다.

    상용 전원을 통하여 전원 공급을 받는 전자 기기들은 전원 트랜스에 의해 필요한 값으로 전압을 변환하고 정류하여 직류 전압을 만들어 회로에 사용한다. 그러나 정류만 한 직류 전원에서는 입력 전압이 변화하거나 트랜스나 정류 다이오드의 전압 강하 등으로 전압의 안정도와 정밀도가 좋지 않기 때문에 기기의 성능을 충분히 발휘 할 수 없다.


    전압 변동의 원인

    상용 전원 전압의 변동

    발전소 등에 충분한 비용을 사용하여 전원 계통이 매우 우수한 국가들이라도 상용 전원의 변동은 존재한다. 대부분이 ±5% 내외의 적은 변동이지만, 일부 개발중인 국가들은 전압 강하의 폭이 10~20V 이상으로 매우 크다.

    전원 트랜스 전압 강하

    트랜스의 크기에 따라 다르지만, 구리선을 수백 회 이상 권선하고 있기 때문에 전선의 저항에 따라 전압 강하가 발생한다. 또한 트랜스의 1차측과 2차측 사이의 누설 인덕턴스가 직렬로 삽입되기 때문에 이것에 따른 전압 강하도 발생 한다.

    정류 다이오드의 전압 강하

    정류용으로 많이 사용되는 브리지 다이오드는 흐르는 전류에 따라 순방향의 전압 강하가 발생한다

    리플 전압

    상용 전원의 교류 전압은 정현파이기 때문에 전해 커패시터로 평활하더라도 충전 및 방전에 의한 리플 전압이 발생한다. 이것은 전파 정류의 경우 주파수의 2배의 전압 변동으로 나타난다. 또한 부하의 변동이 발생할 경우 전해 커패시터의 충전 및 방전의 불균형으로 더 큰 리플 전압 변동이 발생한다.

    전파 정류 회로

    전자회로에는 정격 전압이 필요하다

    IC등의 반도체는 물론 모터와 릴레이 등 모든 전자 부품에는 사용이 권장되는 정격 전압과 동작을 보장하는 최대 전압이 규정되어 있다. 따라서 이 전압값을 넘으면 전자 부품이 설계대로 동작하지 않거나, 수명이 짧아지거나, 파손이 될 수 있다.

    예를들어 대부분의 TTL IC의 정격 전압은 5V로, 동작을 보증하는 전압은 4.5 ~ 5.5V, 최대 전압은 6~7V로 되어 있다. 게다가 OPAMP등의 신호 증폭 회로에서는 전압의 변동이 신호의 변동이나 노이즈로 되어 버린다. 그 결과 설계된 정밀도나 안정성을 얻을 수 없다.

    이와 같이 전원 전압의 변동은 기기의 성능과 신뢰성 측면에서 해결해야 되는 문제이다. 따라서 회로 설계를 통해 전원 안정화가 필요하다.